中国芯逆袭：长鑫存储为何引起三星SK海力士高度戒备？

在DRAM（动态随机存取存储器）市场沉寂多年之后，来自中国的长鑫存储（CXMT）正悄然崛起。以政策护航、价格杀器和技术突围三位一体的攻势，正冲击全球存储版图。

被视为潜在威胁的长鑫存储引起了韩国的高度关注。

据韩国《中央日报》4月14日报道，Counterpoint Research数据显示，2024年第一季度全球DRAM市场份额首次出现结构性变化，SK海力士以36%超越三星的34%，美光保持25%份额，而长鑫存储虽未被主流统计覆盖，但其5%的市占率已突破中国本土企业历史极值。

国家队级别崛起：中国DRAM头号选手已成行业第四极

长鑫存储成立于2016年，总部位于安徽合肥，是目前中国DRAM产业中最具代表性的企业。根据深圳市前瞻产业研究院的数据，自2020年实现量产以来，长鑫存储已迅速占据全球DRAM市场5%的份额，成为继三星、SK海力士、美光之后的“第四极”。

韩国《中央日报》指出，若长鑫存储维持当前扩张速度，至2025年底其市场份额或将提升至15%。

长鑫存储之所以能迅速跃升，背后离不开中国政府的强力支撑。

2024年3月，长鑫存储从国家投资基金获得14.8亿美元融资，其母公司Innotron紧接着又注资24亿美元，用于在上海建设先进封装工厂。

这种“准国家队”角色不仅赋予了长鑫存储充足的资本，还提供了政策、用地、设备、人才等多方面保障，确保其在全球产业竞争中占据一席之地。

与之相比，三星尽管仍是全球最大的半导体资本支出者之一（2024年支出达320亿美元），但在新兴市场的政策博弈中显得被动。

不靠EUV也能突围？长鑫的“技术奇袭”给韩厂不安

在技术路线选择上，长鑫存储另辟蹊径。在无法获得ASML最新EUV极紫外光刻机的背景下，长鑫存储依靠深紫外（DUV）技术，通过优化DRAM结构设计与工艺流程，成功量产DDR4和LPDDR4芯片，甚至在2023年末开始投产DDR5。

韩国《中央日报》援引TechPowerUp与TrendForce的数据指出，长鑫存储 DDR5芯片的良率已达到80%，接近三星与SK海力士的水平，尽管该数据在韩国业内仍有争议。

《韩国商业》估算称，受限于设备条件，长鑫存储的实际良品率比较低。但不论真伪，这显示长鑫存储已具备在非EUV条件下进行先进制程DRAM量产的潜力。

这一点尤为关键。在地缘政治和出口管制愈发严峻的背景下，中国本土芯片厂商必须寻找可行的“非美技术路径”。长鑫存储显然走在了前列，这令依赖EUV技术的韩企感受到技术安全边界被侵蚀的压力。

一半价格抢市：中国式价格战撼动韩系利润链条

更令韩系厂商忧虑的是长鑫存储的“价格杀伤力”。

根据韩国《中央日报》引述Counterpoint Research的数据，标准DRAM产品均价在1美元左右，但长鑫存储提供的产品价格仅为其一半。这种价格差距，使得长鑫存储在低端消费电子市场极具竞争力，尤其在中国国内占据大部分市场份额。

在DRAM需求增长乏力、客户向高端计算集中采购的大趋势下，低价策略正逐步侵蚀传统厂商的利润红线

韩国《中央日报》指出，长鑫存储通过低价的DDR4与LPDDR4压低整体ASP（平均售价），进而拉低行业利润率，逼迫三星、SK海力士在高端市场加速转型，负担沉重。

55%的出口都在中国？韩企对华依赖陷“战略困局”

在美中科技脱钩趋势日益强化的当下，中国加快半导体自主替代的步伐。

韩国国际经济政策研究院（KIEP）发布报告指出，2024年中国大陆和香港占韩国DRAM出口总额的55.4%，金额高达489.3亿美元。也就是说，韩系厂商极度依赖中国市场。但从长远来看，中国推动本土替代、限制进口的政策导向，终将使韩企在全球最大市场的地位受到削弱。

而中国市场依旧是三星收入增长的主引擎之一。三星2024年报告显示，对华出口同比增长53.85%，达64.9万亿韩元（约3330亿人民币），首次超过对美出口。这种“亦敌亦友”的复杂关系，使得三星在战略制定上进退维谷。

HBM野心初露：长鑫正在直面AI存储新战场

目前，长鑫存储主要集中在中低端商用DRAM产品，但其野心远不止此。根据《现代汽车证券》2025年报告，长鑫存储计划在2025年前量产15nm制程的LPDDR5产品，并计划于2027年前进入HBM（高带宽内存）领域，目标是HBM3E，面向AI和高性能计算市场。

值得注意的是，三星正因反应迟缓而失去HBM市场主导权。倘若长鑫存储届时实现技术突破并实现成本优势，高端DRAM市场格局可能将再度震荡。

它不是“狼来了”，它是“狼已经进村了”

长鑫存储不是昙花一现的挑战者，而是在资本护航、技术突围和市场倾斜多重合力下的稳步崛起者。尽管目前尚未全面威胁韩系三强的主导地位，但其在价格、产能、工艺、战略定位等方面的攻势，已使得三星与SK海力士不容小觑。

从产业趋势来看，全球DRAM市场正在向两极化发展：一端是追求AI与HBM的高价值市场，另一端则是成本敏感型的消费级市场。

三星若不能及时修复其高端战略滞后的问题，并防范长鑫存储在中低端市场的持续侵蚀，其长期霸主地位将面临实质性松动。

三星面临的可能不仅是市场份额的流失，更是全球存储产业价值分配规则的重构。当中国企业自主技术突破与规模量产形成共振，存储芯片的“东亚霸权”时代或将迎来真正的挑战者。

（图片由AI生成，使用OpenAI的DALL·E生成模型）