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韩国DRAM技术领先中国5年

发布日期:2022-05-31 · 数字生活网作者:原创编辑:@生活消费
作者:原创编辑:@生活消费

韩国进出口银行海外经济研究所(OERI)估计,韩国和中国在存储半导体领域的技术差距是DRAM为5年,NAND闪存为2年。

该研究所在 5 月 30 日表示,中国 DRAM 制造商长鑫存储技术公司(CXMT)今年正在推动第二代 10 纳米(1y 或 16 纳米到 17 纳米)DRAM 的量产。三星电子和 SK 海力士计划在今年年底或明年量产第 5 代 10-nm(1b 或 12-nm 到 13-nm)DRAM。考虑到每代人的技术差距在两年到两年半左右,两国的技术差距在五年以上。


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